1、BGA(ball grid array) 也稱CPAC(globe top pad array carrier)。球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI 芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進(jìn)行密封。也稱為凸點陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP(四側(cè)引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm的360引腳BGA僅為31mm見方；而引腳中心距為0.5mm的304 引腳QFP 為40mm 見方。而且BGA不用擔(dān)心QFP 那樣的引腳變形問題。
該封裝是美國Motorola 公司開發(fā)的，首先在便攜式電話等設(shè)備中被采用，隨后在個人計算機(jī)中普及。最初，BGA 的引腳(凸點)中心距為1.5mm，引腳數(shù)為225?，F(xiàn)在也有一些LSI 廠家正在開發(fā)500 引腳的BGA。BGA 的問題是回流焊后的外觀檢查。美國Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為GPAC。
2、C－(ceramic) 表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實際中經(jīng)常使用的記號。
3、COB(chip on board) 板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術(shù)之一，半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電 氣連接用引線縫合方法實現(xiàn)，并用樹脂覆蓋以確保可靠性。雖然COB 是最簡單的裸芯片貼裝技術(shù)， 但它的封裝密度遠(yuǎn)不如TAB 和倒片焊技術(shù)。
4、DIP(dual in-line package)
雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。歐洲半 導(dǎo)體廠家多用DIL。
DIP 是最普及的插裝型封裝，應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC，存貯器LSI，微機(jī)電路等。引腳中心距 2.54mm，引腳數(shù)從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm 的封裝分別稱為SK－DIP(skinny dual in-line package) 和SL－DIP(slim dual in-line package)窄體型DIP。但多數(shù)情況下并不加區(qū)分，只簡單地統(tǒng)稱為DIP。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP也稱為Cerdip（見4.2）。
4.1 DIC(dual in-line ceramic package) 陶瓷封裝的DIP(含玻璃密封)的別稱。
4.2 Cerdip：用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ECL RAM，DSP(數(shù)字信號處理器)等電路。帶有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外線擦除型EPROM 以及內(nèi)部帶有EPROM 的微機(jī)電路等。引腳中心距 2.54mm，引腳數(shù)從8 到42。在日本，此封裝表示為DIP－G(G即玻璃密封的意思)。
4.3 SDIP (shrink dual in-line package) 收縮型DIP。插裝型封裝之一，形狀與DIP 相同，但引腳中心距(1.778mm)小于DIP(2.54mm) 因而得此稱呼。引腳數(shù)從14 到90。有陶瓷和塑料兩種。又稱SH－DIP(shrink dual in-line package)
5、flip-chip
倒焊芯片。裸芯片封裝技術(shù)之一，在LSI 芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點，然后把金屬凸點與印 刷基板上的電極區(qū)進(jìn)行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有封裝技術(shù)中體積最 小、最薄的一種。但如果基板的熱膨脹系數(shù)與LSI 芯片不同，就會在接合處產(chǎn)生反應(yīng)，從而影響連 接的可靠性。因此必須用樹脂來加固LSI 芯片，并使用熱膨脹系數(shù)基本相同的基板材料。
6、FP(flat package)
扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP 或SOP(見QFP 和SOP)的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采用 此名稱。
7、H-(with heat sink)
表示帶散熱器的標(biāo)記。例如，HSOP 表示帶散熱器的SOP。
8、MCM(multi-chip module)
多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分為 MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大類。MCM－L 是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。 MCM－C 是用厚膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使用多 層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM－L。MCM－D 是用薄膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組件。 布 線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。
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